华为公布“全环绕栅极纳米片器件的半导体结构”专利

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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司一项名为“全环绕栅极纳米片器件的半导体结构”的专利申请今日公布，申请日期为2022年4月。据专利摘要显示，对于GAA纳米片器件，提供了一种半导体结构(100)和制造方法。

所述半导体结构(100)包括衬底(101)和所述衬底(101)上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层具有相互交替地布置的多个栅极区域(103)和硅基沟道区域(102)。所述栅极区域(103)的长度小于所述沟道区域(102)的长度。因此，凹穴(104)形成在所述栅极叠层的一侧上，每个凹穴(104)布置在一个栅极区域(103)的旁边并且在邻近所述栅极区域(103)的两个沟道区域(102)之间。此外，第一硅基接触区域(105)在距所述栅极叠层的所述一侧的一段距离内延伸，硅基填充材料(106)布置在所述第一接触区域(105)和所述栅极叠层的第一侧之间，并且位于每个第一凹穴(104)中。（国家知识产权局