存储价格或将==翻==倍=
当地时间7月10日，DigiTimes最新报告援引业内人士观点称，受AI算力需求爆发、产能结构性紧缺双重因素影响，HBM价格预计2027年实现==翻===倍。
行业消息人士称，下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特=升至4至5美元，甚至更高。
据介绍，涨价核心源于两大生产原因：一方面，HBM4工艺制造难度极高，生产周期长达4至6个月，初期良品率偏低；另一方面，生产HBM所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，现有产线产能释放空间被大幅压缩。
当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。
DigiTimes预判，2027年全球近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商难以拿到供货份额。
与此同时，供应链有消息透露，2027年AI硬件将持续存在根本性供货缺口。2026年底芯片厂商议价权将拉满，未提前签订长期供货协议的消费电子企业，或将遭遇严重内存断供危机。
今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80%，迫使芯片制造商不得不要求更高的HBM定价，以证明从传统DRAM生产线转移的合理性。
紧缩供应、涨价叙事正在成为存储芯片板块的强大催化剂。
美东时间7月10日，韩国存储芯片巨头SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，创下历史纪录的265亿美元发行规模，其ADR价格=涨超12%，较韩股普通股股价存在显著溢价，显示出美股存储芯片板块巨量交易的强劲延续态势。
SK海力士首席执行官郭鲁正表示，全球存储芯片行业正迈向史上最严重的供应短缺，预计2027年将成为行业供应最紧张的一年。尽管公司正积极扩充产能，但他预计，存储芯片需求仍将持续超过公司的生产能力，并一直延续到2030年以后。
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