存储产能竞争开启
产能竞争开启昨日，韩国政府联手三星、SK集团公布了总计4755万亿韩元的企业国内投资计划，围绕半导体、物理AI、AI数据中心三类核心超级项目。韩国西南部计划投资800万亿韩元建设四座半导体制造厂，三星电子和SK海力士计划各建两座。
具体至企业，SK海力士计划投资1100万亿韩元扩大DRAM和NAND闪存供应。三星计划在光州投入400万亿韩元新建一座晶圆制造厂，三星电子计划在天安、温阳投入56万亿韩元新建HBM厂。
随着两大韩国存储厂商宣布最新扩产计划，新一轮产能竞争开启。
从既有格局看，据Counterpoint数据，今年第一季度三星电子、SK海力士、美光、长鑫分别占全球DRAM市场份额38%、29%、22%、8%，三星电子、SK海力士、美光、铠侠、闪迪和长江存储分别占NAND闪存市场份额29%、18%、13%、14%、13%、13%。
韩厂三星电子和SK海力士已在两类存储晶圆市场占据优势，DRAM领域的竞争对手是美国厂商美光和中国厂商长鑫，NAND闪存领域的竞争对手是美国厂商美光和闪迪、日本厂商铠侠和中国厂商长江存储。
谢谢分享就像花儿一样芬芳:) 好好学习，天天向上！
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